先進パワー半導体分科会 チュートリアル
先進パワー半導体分科会第13回講演会に先立ち、チュートリアルを開催します。パワー半導体を研究している大学院生や若手研究者を主な対象とし、窒化物系ワイドバンドギャップ半導体について、一流の講師陣からご講演いただきます。
【世話人幹事】
加藤 正史(名古屋工業大学)
堀切 文正(法政大学)
田中 成明(豊田合成)
2026年11月30日(月) 13:00～18:00
【場所】 広島国際会議場 コスモス
プログラム
13:00-13:50
窒化物系半導体材料の物性評価（仮）
前田 拓也（東京大学）
13:55-14:45
多元・混晶系窒化物半導体のヘテロピタキシャル成長
三好 実人（名古屋工業大学）
15:00-15:50
GaNパワーMOSFETの界面プロセス設計
成田 哲生（豊田中央研究所）
15:55-16:45
縦型GaNパワーデバイスの現状と将来展望
加地 徹（名古屋大学）
16:50-17:40
ワイドバンドギャップ半導体基板の加工技術
―SiC・GaNの超精密研磨と加工変質層―
會田 英雄（長岡技術科学大学）