基調講演「我が国の半導体政策と産学官連携による人材育成・研究開発の展望」
林 揚哲（東京科学大学 執行役副学長（中国経済産業局 前局長））
「半導体製造を支えるクリーン搬送技術とパワー半導体への期待」
藤代 祥之（ローツェ株式会社 代表取締役社長）
招待講演１「SiC 単結晶中の点欠陥および不純物と拡張欠陥」
大谷 昇（関西学院大学）
「SPring-8 BL16B2におけるSiCおよびβ-Ga2O3ウェーハの高分解能デジタルトポグラフィ」
志村 考功（早稲田大学）
招待講演２「パワー半導体基板に対するレーザスライシング技術の現状と展望」
山田 洋平（埼玉大学）
「固相電解酸化が拓くSiC表面加工の新展開　― 高効率研磨とマイクロパターン形成 ―」
村田 順二（立命館大学）
招待講演３「深い準位がSiC-SJ-MOSFETsの動的特性に与える影響調査」
俵 武志（産業総合技術研究所）
「再エネ・産業向けパワー半導体の技術動向と応用技術開発の紹介」
李 政峰（三菱電機）
「SiC MOSFET のチャネル移動度向上と界面固定電荷の理解」
三上 杏太（京都大学 ）
「シリコン空孔量子センサによる炭化ケイ素パワーデバイス内部直接計測技術」
山崎 雄一（量子科学技術研究開発機構）
招待講演４「MOVPE法によるβ-Ga2O3ホモエピタキシャルウェハの開発」
熊谷 義直（東京農工大学）
「車載向けGaN要素技術およびパワーデバイスの研究進展」
三宅 裕樹（株式会社ミライズテクノロジーズ）
「DX・GXを支えるパワー半導体の技術動向と今後の展望」
西澤 伸一（九州大学）
「メモリ開発を加速するインフォマティクス活用最前線」
井ノ本 実（キオクシア株式会社）
特別講演「窒化物半導体国際ワークショップ IWN2026の紹介」
三宅 秀人（三重大学）
「シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議（ICSCRM）2026 開催総括」
土田 秀一（電力中央研究所）
奨励賞記念講演「厚膜SiCエピタキシャルウエハにおける基底面転位ハーフループのバーガースベクトルと進展挙動の解析」
藤榮 文博（電力中央研究所）
「高性能Ga2O3 MOSデバイス実現に向けた熱処理プロセスの設計」
前田 兼成（元大阪大学）
「SiO2/SiC界面発光中心の物性解明と量子技術への展開」
大西 健太郎（大阪大学）