12月1日（火）
| 時間 | 講演会場１ （フェニックスホール） | 講演会場２ （ヒマワリ） | ポスター会場 （ダリア１・２） |
|---|---|---|---|
| 9:55-10:00 | 開会挨拶 | ||
| 10:00-11:30 | 基調講演 我が国の半導体政策と産学官連携による人材育成・研究開発 の展望 林 揚哲（東京科学大学） 半導体製造を支えるクリーン搬送技術とパワー半導体への期待 藤代 祥之（ローツェ） | ||
| 11:30-13:00 | 昼食休憩 | ||
| 13:00-14:00 | 招待講演１ SiC 単結晶中の点欠陥および不純物と拡張欠陥 大谷 昇（関西学院大学） SPring-8 BL16B2におけるSiCおよびβ-Ga2O3ウェーハの 高分解能デジタルトポグラフィ 志村 考功（早稲田大学） | 招待講演２ パワー半導体基板に対するレーザスライシング技術の 現状と展望 山田 洋平（埼玉大学） 固相電解酸化が拓くSiC表面加工の新展開 ― 高効率研磨とマイクロパターン形成 ― 村田 順二（立命館大学） | |
| 14:00-14:15 | 休憩 | ||
| 14:15-15:15 | インダストリアルセッションⅠ | インダストリアルセッションⅡ | |
| 15:15-16:30 | ポスターセッションⅠA | ||
| 16:30-17:45 | ポスターセッションⅠB | ||
| 18:30-20:30 | 懇親会（ANAクラウンプラザホテル広島） | ||
12月2日（水）
| 時間 | 講演会場１ （フェニックスホール） | 講演会場２ （ヒマワリ） | ポスター会場 （ダリア１・２） |
|---|---|---|---|
| 9:20-11:20 | 招待講演３ 深い準位がSiC-SJ-MOSFETsの動的特性に与える影響調査 俵 武志（産総研） 再エネ・産業向けパワー半導体の技術動向と応用技術開発の紹介 李 政峰（三菱電機） SiC MOSFET のチャネル移動度向上と界面固定電荷の理解 三上 杏太（京都大学 ） シリコン空孔量子センサによる炭化ケイ素パワーデバイス内部 直接計測技術 山崎 雄一（量研） | 招待講演４ MOVPE 法によるβ-Ga2O3 ホモエピタキシャルウェハ の開発 熊谷 義直（東京農工大学） 車載向けGaN要素技術およびパワーデバイスの 研究進展 三宅 裕樹（ミライズテクノロジーズ） DX・GXを支えるパワー半導体の技術動向と 今後の展望 西澤 伸一（九州大学） メモリ開発を加速するインフォマティクス活用最前線 井ノ本 実（キオクシア） | |
| 11:20-12:50 | 昼食休憩 | ||
| 12:50-14:05 | ポスターセッションⅡA | ||
| 14:05-15:20 | ポスターセッションⅡB | ||
| 15:20-15:35 | 休憩 | ||
| 15:35-16:25 | 特別講演 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2026の紹介 三宅 秀人（三重大学） シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議 （ICSCRM）2026 開催総括 土田 秀一（電中研） | ||
| 16:25-17:25 | 奨励賞記念講演 厚膜SiCエピタキシャルウエハにおける基底面転位ハーフループの バーガースベクトルと進展挙動の解析 藤榮 文博（電中研） 高性能Ga2O3 MOS デバイス実現に向けた熱処理プロセスの設計 前田 兼成（元大阪大学） SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の解明 大西 健太郎（大阪大学） | ||
| 17:25-17:45 | 奨励賞授賞式 クロージング | ||